站内搜索
d取代后,合成的Gd3al5o12: ce几乎不发光。所以取代al的Gd量在满足发射峰值的前提下,应尽可能减少。图二：不同Gd量对yaG：ce发射光谱的影响3.2 lu取代al的影
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
用范围。根据不同的芯片和应用的需要,可以选择不同的激发和发射峰的该系列荧光粉。硫化物系列荧光粉的最大缺点在于：性质不够稳定、光衰大。主要原因在于：在使用过程中,硫容易析出,二价铕容易
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
换股比例合并国联光电,晶元电为存续公司。?;2005/8,philips购入aGilent所持lumileds47％股权共计9.5亿美元,,随后飞利浦以800万欧元收购员工持有的3
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00
制晶圆膜厚度,得到优良的晶圆材料,但生长的速度较慢,对于较厚要求的晶圆生长耗时过长,不能满足大规模生产的要求。对于光电器件,特别是led、ld芯片,一般都采用用mocvd技术。这是因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
为甲基或乙基化合物,如：Ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,Ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
且和衬底分离的Gan薄膜有可能成为体单晶Gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响Gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
能利用型独立半导体照明灯具,节能、环保、长寿命,还省去了相关的电线及配套设施,拥有巨大的市场空间。5)提高系统的可靠性led光源有人称它谓长寿灯,作为固体发光器件,其理论寿命在10
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00
仅驱动一个led就需要5到10ma的电流。低功耗对于使用电池供电的设备而言,具有相当大的意义。 从电气特性上看,el灯片具有阻容特性,等效电路如图1,电容容量通常是2到6nf/in
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
d cathode fluorescent lamp,ccfl)或是led光源。在混色原理上,各原色是以空间轴混色,空间轴上的混色意思是,人眼看到东西可以看出颜色,是靠空间轴上r、G、b三
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00
