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目前，我国高光效、高可靠的led原材料几乎全部依赖进口，高档外延芯片生产工艺核心技术受制于人，特别是上游芯片专利技术大部分被日、美等国外大厂商掌握。随着led专利战硝烟四起，国
https://www.alighting.cn/news/201341/n351650233.htm2013/4/1 10:34:04
核心设备及部分原材料依赖进口、外延芯片缺乏核心专利、测试方法及设备支撑不足……一直以来，我国半导体照明产业与国际先进水平存在诸多差距。而作为led芯片生产核心设备，mocvd(金
https://www.alighting.cn/news/2013115/n802148154.htm2013/1/15 17:23:39
目前，中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2008年北京奥运会对led照明的集中展示让人们对led有了全
https://www.alighting.cn/news/2013128/n001248597.htm2013/1/28 15:18:21
本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。
https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28
省照协全健会长说，台湾同行向我们展示了各自企业的先进经营理念及生产规模，台湾企业的技术优势明显，从外延生长和设备，芯片设计和封装工艺，以及光源设计和灯具散热模组生产，都值得大陆企
https://www.alighting.cn/news/2011328/n232230881.htm2011/3/28 19:13:03
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
管(led)外延片;最终,进行芯片制造和测
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
c 外延片和蓝宝石晶片上都取得突
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
