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光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量子
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http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
个过程中,外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂或局部残缺,使得实际的芯片分布与储存在分选机里的数据不符,造成分选困难。 从根本上解决芯片测试分选瓶颈问题的关键是改善外延片均匀性。如果一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230127.html2011/7/18 23:59:00
出。如果把一片含有发光二极管的晶圆粘结到一片具有高反射率表面的基板晶圆上,基板晶圆还有能散热,射向基板的光将被反射回并穿过发射区,这就大大提高了总光亮输出。许多材料,如硅,砷化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
高还需要从大功率白光led的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。在二次光学设计方面,led的辐射形式有朗伯型、侧射型、蝙蝠翼型和聚光型几种。在道路照明领域,根据设计经验朗伯型和蝙
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型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技
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3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
板计算机等行动装置的出货量，都出现成长停滞现象，进而影响到下半年半导体市场。由于电子产品的出货不如预期，近来台积电及联电都传出下修第3季晶圆出货量季增率的消息，台积电第3季晶圆出
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性的控制有难度,导致了白光颜色的不均匀。②芯片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强) 和电学(如正向电压) 参数差异。rg
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
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