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料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
级，led灯的响应时间为纳秒级。 6）对环境污染：无有害金属汞。 7）颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230342.html2011/7/20 0:18:00
免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得
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到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表
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辑器件的特点 与传统的fpga相比,cpld最大的特点在于其延时可预测性。在互连特性上,cpld采用连续互连方式,即用固定长度的金属线实现逻辑单元之间的互连,避免了分段式互连结构
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230329.html2011/7/20 0:11:00
由扩散顶区的表面电阻、电池的体电阻和上下电极与太阳电池之间的欧姆电阻及金属导体的电阻构成的。根据图l所示的等效电路可知，流过负载的电流为：由上述模型可以看出，太阳电他的输出特性和工
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n层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石。这样，金属膜就会产生映射的效果而获得更多的光线取出，而根据osram的数据显示，这样的结构可以获得75％的光取出效率。逐渐有业者利用覆晶的构造，
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00
能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后，led的高效化、超高亮度化、全
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
“thin gan”高亮度led。原理是在ingan层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
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d技术迈出了第一步。作为出生在香港的汪根样博士不愧是我们中国人的骄傲。后来汪根样继续研究发现：在小分子有机材料中，它们与金属半导体类似，可以在电场的作用下产生发光现象，而且这些小分
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