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求， ssd 须放防静电容器内，贮运中要远离静电，电磁场或放射场的位置。 11 、 ssd 元器件应分类拿放，静电敏感符号 符号符合 gjb1649 规定。 E 、防静电材料的度测方法与时
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258640.html2011/12/19 11:10:19
间的热阻； d、控制额定输入功率; E、降低环境温度 lEd的输入功率是元件热效应的唯一来源，能量的一部分变成了辐射光能，其餘部分最终均变成了热，从而抬升了元件的温度。显然，减
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258613.html2011/12/19 11:09:16
法超越的。 废话说了这么多只是希望国人能够了解创新的重要性。 接下来 我举例说明lEd的一种趋势方向 以上产品是德国journéE lighting公司的lE
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258611.html2011/12/19 11:09:12
上生产成本大幅降低，迅速扩大了lEd应用市场，如消费产品、讯号系统及一般照明等，于是其全球市场规模快速成长。2003年全球lEd市场约44.8亿美元 (高亮度lEd市场约27亿美
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258601.html2011/12/19 11:02:23
元位于圆形陈列天线中央位置,这就需要在阵列信号处理单元与位于1～2km以外的微机之间进行双工通信。为了减少数据传输时间在整个系统处理时间指标中所占的比重,要求数据传输率应不小于E1(
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258565.html2011/12/19 11:00:41
线发送给串行E2prom进行存储。 1．3 软件实现串行数据传送接口 由软件实现2路串行数据的输出以完成显示屏行和列数据的要求,下面是串行输出1 b数据的软件源代码： sbi
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258554.html2011/12/19 10:59:28
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镓(ga)铟(in)磷(p)氮(n)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、lEd晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑E等 b、高亮度：vg﹑vy
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持隔离或非隔离灯具的应用。此外，它们还可以应用于100v、110v或230v的交流电源网络，电路板外形尺寸可以应用于E27、gu10或者parx灯。此产品系列中还包含集成功率开关和
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