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o semiconductors gmb实验结果证实，上述结构的led芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w，大约是传统led的1/6左右，封装后的led施加2w的电力时，led芯片的接合温度比焊接点高18
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00
能。 调光范围 在pwm调光中，led正向电流以受控的占空比(ddim)进行开/关(on/off)，以达到想要的亮度级别。ddim的动态范围定义了pwm调光配置所能实现的最
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126778.html2011/1/9 21:16:00
光gan/algan双异质结（dh）led.衬底是掺砷的晶向为（111）低阻n型si.缓冲层为 aln.dh-led结构为：si（111）/8nm aln/n-algan:si/6n
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
去，交流市电入口接有 1a 保险丝 f1 和抗浪涌/雷击的压敏电阻 vz1;之后是 emi 滤波器，由 ld1、lc1 和 cx1、cx2 组成;db1 是全桥整流器，内部是 4 个高
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127034.html2011/1/12 16:40:00
面与传统照明有很大差别，传统灯具企业需要经验/技能积累过程 5、大家都看好该市场，但是还没有规模上量 特点： 1、通过调整高精度恒流芯片，保证led亮度、色度的一致
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127038.html2011/1/12 16:42:00
n，algan多层缓冲层，大大缓解了si衬底上外延gan材料的应力，提高了晶体质量，从而提高了发光效率。 (3)通过优化设计n-gan层中si浓度结构及量子阱/垒之间的界面生长条
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
d(hb-led)。hb-led的主要强项在于：具有高能效/低电耗;工作时间非常长(达100000小时);可以改变发光方向,提高系统效率;稳固、抗振动,冷型光源,触摸安全;所发的光颜色饱和
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
收机等接入技术、天线、发射器、中继、收发站、通信配件及连接件，通信终端产品，机顶盒，线缆，对讲机、网络、ic卡及智慧卡技术、移动通信、增值服务（短信/多媒体讯息/wap）、光纤网
http://blog.alighting.cn/kang1987/archive/2011/1/13/127218.html2011/1/13 13:15:00
项技术难题都拥有了日趋完善解决技术，得到了长足的发展。在应用方面，勤上已成为led道路照明、led显示、景观照明、商用照明、家居照明、太阳能/风能应用、特种照明等综合解决方案提供
http://blog.alighting.cn/leddengju/archive/2011/1/23/128508.html2011/1/23 21:18:00
依然焦虑的2011 ——对2011年宏观环境及行业形势的预测 文/宋定龙 用“焦虑”二字来预评2011年的宏观环境，或许让人觉得有些危言耸听，但事实上，从目前的迹象来
http://blog.alighting.cn/jamesong/archive/2011/2/8/131339.html2011/2/8 16:25:00
