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示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困
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早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
由led工作原理可知,外延材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条：?ゼbr①禁带宽
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外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生
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当的状态下,整体呈现的亮度与清晰度是荧光粉白光led的五倍,此 外,光衰减的问题,晶圆造价贵,也都是他看好rgb灯的一大主因。再者,rgb在应用上,明显比白光led来得多元,他举例,
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产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
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后,下一步就开始对led外延片做电极(p极,n极),接着就开始用激光机切割led外延片(以前切割led外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如
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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
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氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-
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