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术突破日期提前2010年2月6日，美国led芯片制造商cree公司在宣布其白光大功率led芯片光效突破208lm/w。该测试是在350ma电流和标准测试环境下进行的，相关色温
http://blog.alighting.cn/renjian/archive/2011/1/10/126836.html2011/1/10 13:44:00
约3个亿人民币，每家平均年产值在1至2个亿。 这两年中国大陆的led芯片企业发展速度较快，技术水平提升也很快，中小尺寸芯片(指15mil以下)已能基本满足国内封装企业的需求，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126780.html2011/1/9 21:17:00
光led样品封装，不需要特殊接合技术也能够将厚约2～3mm散热器的热量直接排放到外部，根据该citizen报道虽然led芯片的接合点到散热器的30k/w热阻抗比oSRam的9k/w
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00
流的平均最低值，ddim_max为最大调光占空比，ddim_min为最小调光占空比。因此，最高和最低led明亮的比率，又被看作pwm调光范围，用式3表示。 调光范
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126778.html2011/1/9 21:16:00
光源性能的好坏除了会直接影响lcd显像质量 外，背光源的成本也占据lcd模块的3-5%，所消耗的电力更占模块的75%，可说是lcd模块中相当重要的零组
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126779.html2011/1/9 21:16:00
此当led点亮时，若无法快速与有效的将热量带走，将会造成亮度降低、寿命变短及波长飘移，甚至造成led损坏，图3為科瑞(cree)ez1000的晶片示意图。 资料来源：cre
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
片的透明电极(ito、ruo2、zno及nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅sio2，氮化硅 si3n4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
中之处会产生热点，使晶格缺陷范围延伸，led的亮度就会随缺陷扩大而递减。为了延长led的寿命，输入的电流必须降低（如350 ma），单位面积的发光亮度就受到了限制。 led电流转
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
尺寸瓶颈难打破，oled开展进度慢 虽然在手机和数字媒体播放器等小型电子设备市场俨然成为了高端技术意味，但是在大尺寸显示范畴，oled依旧开展迟缓甚至滞后。就在2010年
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126773.html2011/1/9 21:10:00
、3灯、5灯的超大型高亮度模块。 超强适应环境能力 室内、室外在-40℃-85℃，湿度≤65%都可正常安全运行,保证使用3年。 固定安装快捷方便 新款led均为12v dc，配
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126770.html2011/1/9 21:07:00
