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大陆led群雄并起 台厂下一步战略如何走?

晶在2寸基板技术已经纯熟,并在大陆拥有 80%市占率。目前也已送样4寸基板,并成功开发出6寸基板,在led制程演进过程亦步亦趋。led磊晶/晶粒厂商现阶段则以三安光电(生产基地位于芜

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261373.html2012/1/8 20:22:27

led生产工艺及封装技术

接到pcb板上。 f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07

高亮度led封装工艺技术及方案

升及保持亮度,若再增强其散热能力,市场之发展深具潜力。  asm在研发及生产自动化光电组件封装设备上拥有超过二十年经验,业界现行有很多种提升led亮度方法,无论从芯片及封装设计层

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

高亮度led封装工艺技术及方案

升及保持亮度,若再增强其散热能力,市场之发展深具潜力。  asm在研发及生产自动化光电组件封装设备上拥有超过二十年经验,业界现行有很多种提升led亮度方法,无论从芯片及封装设计层

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

飞利浦欧司朗等五led巨头联手筑led专利壁垒

”  台湾厂商晶电则在去年与丰田合成签署专利交叉授权,合资的子公司丰晶光电已于近期开始小量出货。  欧司朗同时认为,该协议将保护欧司朗和cree客户的专利,避免出现潜在的专利纠纷。

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263601.html2012/2/4 14:56:31

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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