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led芯片制造流程

机金属和ⅴ族的nh3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。mocvd外延炉是制作led外延片最常

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

影响led显示屏质量的材料因素

d在过波锋炉时能承受的时间和温度是有限的。 世界一流的led也只能承受3秒到5秒的高温冲击, 波锋浸锡温度还不能超过260度。   而经常灯不亮和亮度不够的情况其一可能是vf, i

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120528.html2010/12/13 22:57:00

改善散热结构提升白光led使用寿命

厚约2~3mm散热??片的热量直接排放到外部,根据该citizen表示虽然led晶片的接合点到散热??片的30k/w热阻抗比osram的9k/w大,而且在一般环境下室温会使热阻抗增

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00

从散热技术探讨led路灯光衰问题

定要具备抗酸碱的特性,目前的抗酸碱值幅度在ph3~11,可以有效保护led户外灯具外观不被侵蚀。 led灯具的成本结构随着封装技术、载板设计、散热模块结构的精进发展,质量不断的提

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00

下一代产品所需的过流和过压电路保护

丝属于外形小巧类表面粘着元件,可为下一代电脑和电信/数据通信产品中的昂贵ic提供过流保护。表面粘着型保险丝(smf)的典型封装尺寸为1206(3.2x1.6mm)和0603(1.6

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00

晶能光电:硅衬底led芯片产业化初见成效

区。产业园计划投入巨资,每年新增led项目3-5个。在南昌建设led应用产品及产业集群,吸引全球半导体照明上下游配套产业在南昌集聚,建设成为有中国特色的led与半导体照明基

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00

oled的关键零组件及材料

艺,高分子器件则采用旋转涂覆或喷墨工艺。目前国际上与oled有关的专利已经超过1400份,其中最基本的专利有3项。小分子oled的基本专利由美国kodak公司所有,高分子oled专利

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00

oled生产用的主要原材料

: ag(10: 1),li:al (0.6%li) 合金电极,功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点:提高器件量子效率和稳定性;能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c.层状阴极

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00

可变色温hid氙气灯将成改装车灯主流

众所周知,hid亮度会比普通卤素灯亮2至3倍,达到3200流明。而一般卤素灯色温通常在3200k-3800k之间,hid氙气灯色温范围较大,通常在3000k-12000k之间甚

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120519.html2010/12/13 22:51:00

led用yag:ce3+荧光粉的研制

yag:ce(y3al5o12: ce)荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来,并且被应用于阴极射线飞点扫描管中(阴极射线荧光粉的牌号为p46),它主要是利用该荧光粉的超短余

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