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中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
98这个显色指数(cri)是intematix公司实验室混合该公司的三种专利荧光粉之后而得到的里程碑式的成绩，使得led能够呈现最真实的色彩。
https://www.alighting.cn/news/20111018/114650.htm2011/10/18 9:44:34
目前各研究机构各执一词，结论也不甚统一，是否有伤害仍无定论，但对led与健康的研究却并未停止。但是，有一点是确定的，长期处于不舒适的照明环境，例如不合适的照度、不均匀的光分布、强烈
https://www.alighting.cn/news/20111017/n915535080.htm2011/10/17 14:58:55
在世博文化中心的建筑室内外照明设计与实施过程中，照明设计团队坚持以研究性设计模式进行半导体照明的实践与探索；通过计算机模拟、现场实验等方法对关键性技术难点进行研究论证；力图发挥高
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/17/144823_79.htm2011/10/17 14:48:23
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
默克(merck)公司宣布已在韩国开设了一个新的应用开发实验室，将集中进行oled研发和设计。
https://www.alighting.cn/news/20111014/n893135021.htm2011/10/14 9:45:25
欧司朗光电半导体研发实验室创下红色高功率led的全新效率纪录，红色led创下 201 lm/w 的纪录值，光电效率达 61%。
https://www.alighting.cn/pingce/20111012/122728.htm2011/10/12 9:49:58
欧司朗光电半导体研发实验室创下红色高功率led的全新效率纪录，光电效率达 61%。1 mm2 的芯片被包复在实验室封包中，发射出 609 nm (λ-dom) 的波长，并在 4
https://www.alighting.cn/news/20111012/n387534949.htm2011/10/12 8:41:23
