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响。图3为ca、sr比不同的情况下在460nm蓝光激发时该荧光粉的发射光谱。随着钙含量的增加，发射峰朝长波方向移动，且发射明显增强。图4为ca、sr比不同的情况下该荧光粉的激发光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
瓦,与其它结构的比较如图3所示。台湾地区紧随其后，最近几年发展很快，图4给出了ingaalp超高亮度led的几种新型结构。除外延片的内量子效率在不断提高外，主要体现在：随着芯片结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
效提高器件的可靠性。 2.3 p型欧姆接触退化 在gan基led失效分析过程，对比器件退化前后的i－v特性[14]（图2）发现，已退化器件的寄生串联电阻增加使得相同电压偏置下的正向电
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号，所以消除了电磁干扰 (emi) 的影响。tps7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (wcsp) 与 3mm × 3mm qfn 两种封装版本，这种非
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n芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元
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酮清洗配胶所用的小烧杯。 3、准备所需的量产规格书或相应的联络单，及相应型号胶水等并确认其都在有效的使用期内。 开始配胶： 1、配胶顺序说明：增亮剂+a胶按比例混合（可以
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一时刻，开通s1、s4、s6，vin对电容c1充电，c2短接，使vc1=v1，vc2=0；第二时刻，关闭s1、s4、s6，开通s2、s3、s5、s7，c1对c2充电，使vc1=vc
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t1271和aat1272的双通道升压转换器，以每个高达750 ma的电流支持两个wled或者以高达1.5a的电流支持一个wled，并且它们都采用紧凑的3x3-mm tdfn封装。它
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的主要特点如下： 1.高热传导低热阻 2.热膨胀系数匹配(tce:6.2) 3.抗uv 4.抗腐蚀和黄化 5.符合rohs规定 6.高气密性 7.耐高
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高。通常再流炉附带的此外灯管功率为2-3kw，距pca约10cm高度，经10-15s就使暴露在元件体外的贴片胶迅速固化，同时炉内继续保持150-140℃温度约1min，就可使元件下
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