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展总监 • 2012年，创立涌奇材料技术(上海)有限公司，作为发明人先后申请光扩散粒子相关国家发明专利3项：有机硅光扩散粒子的制备方法及其应用(专利号：201310185112.
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/12/13/346130.html2013/12/13 14:30:31
产品说明： 材料：a级bk7光学玻璃，紫外熔融硅 透过率：t(ave)85%(可以根据客户要求选择波段) 截止深度：t(ave)10-4-10-5(可根据客户要求选择波
http://blog.alighting.cn/baiheoe/archive/2009/10/23/7287.html2009/10/23 17:16:00
d工程技术研究开发中心主任。除此之外，他也曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术
http://blog.alighting.cn/lishiwei/2013/4/25 15:41:20
源。而且，与紧凑型荧光灯不同，这些led灯是在“冷”温度下工作的。但或采用ccfl(冷阴极荧光灯)灯管一样，高亮度led也没有解决好与普通triac(三端双向可控硅开关)调光器的协
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/7/11288_46.htm2012/4/7 11:28:08
采用普通玻璃底板的oled面板是通过刻蚀变薄的。驱动电路由低温多晶硅tft构成。利用了低分子型oled材料。 没有采用玻璃底板封装，而是采用了基于溅镀的膜封装技术。因此，0.0
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/10/31/9243.html2008/10/31 22:11:00
素灯产生了一种漫射光。与这些灯形成鲜明对比的是瓷制的以岩石上的石砌为灵感来源的" 21.0 series lighting "。这个灯采用为经处理的白瓷把硅硼玻
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2009/11/20/19773.html2009/11/20 16:43:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
快速式气压压力变送器水压压力传感器 hdp503k扩散硅压力变送器（扩散硅压力传感器,扩散硅常压变送器,扩散硅常压传感器）采用不锈钢整体构件，进口弹性体原件，高精度应变计及先
http://blog.alighting.cn/hd2008sensor/archive/2010/4/22/41187.html2010/4/22 15:13:00
