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我国半导体照明产业既面临着重大历史机遇，也面临着严峻挑战：在技术方面，上游外延材料、核心器件已实现了量产，但仍处于中低端水平，核心专利缺乏，研发与产业化能力薄弱；在产业化方面，我
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
步拓展led应用的外延。在城市化进程加快和全社会信息化水平提高的情况下，led作为低碳环保的朝阳产业，获得了较大发展空间。但是众多企业一哄而上的局面，也让该产业竞争加剧，难以获得良
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271163.html2012/4/10 20:58:40
告显示屏、汽车照明及交通信息标识、通用照明等领域，其对传统光源的替代正在加速。从产业链上看，中国led产业覆盖了从上游材料、外延、芯片、封装到应用，链条完整，空间布局广。在资本市
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271159.html2012/4/10 20:58:22
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271158.html2012/4/10 20:58:12
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
式led采用几颗晶片的方式是根据市场用户的要求进行的。在用户没有提出特殊要求时，一般选择挖槽孔型结构设计pcb板。pcb基板为bt板。二、挖槽孔方向的选择如果选择用挖槽孔型结构的方
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271155.html2012/4/10 20:58:03
灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
与gaas基板具有绝佳匹配性。不过&helli由於gaas基板能隙小於这些材料能隙,加上led所散出的光又属於等向性光源；因此,有将近 50％光源会在进入能隙较小gaas基板
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271139.html2012/4/10 20:56:42
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
