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源)两种规格，现在16位源占主流，其主要优势在于减少了芯片尺寸，便于led驱动板(pcb)布线，特别是对于点间距较小的led驱动板更有利。 3) 电流输出误差 电流输出误差分
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
用过程中,降低器件及系统热阻[ 3 ] ,从而降低芯片温度;优化led 外延层结构,减少电流泄漏,增加电子、空穴在结区的复合几率,是提高l ed 在大功率下发光效率的两个主要途径。
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
光模块的1/3～1/2左右，换句话说今后除了必需提高led本身的发光效率之外，也必需设法改善led背光模块的单位瓦特发光流明数(图3)。 图3 led背光模块的单位瓦特发光流明数
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
常抗静电大于700v的led才能用于led灯饰。 3、波长 波长一致的led，颜色一致，如要求颜色一致，则价格高。没有led分光分色仪的生产商很难生产色彩纯正的产品。 4、漏电电
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
灯每米耗电40多w，而采用led每米的功率只有6-8w（以100只?led单体红、绿、蓝三色均布计算）。 3、使用寿命长 一般来讲，普通白炽灯的寿命约为1000小时，荧光灯、高
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a公司垄断，而且这种方案的一个原理性的缺点就是该荧光体中ce3+离子的发射光谱不具连续光谱特性，显色性较差，难以满足低色温照明的要求，同时发光效率还不够高，需要通过开发新型的高效荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
量；(3)降低封装材料的线膨胀系数。但是当采用上述方法(1)、(2)时，在降低玻璃化温度的同时，也降低了封装材料的耐热性，最后的结果是封装器件的可靠性也降低了。比较而言，方法(3)是比
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响。图3为ca、SR比不同的情况下在460nm蓝光激发时该荧光粉的发射光谱。随着钙含量的增加，发射峰朝长波方向移动，且发射明显增强。图4为ca、SR比不同的情况下该荧光粉的激发光
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瓦,与其它结构的比较如图3所示。台湾地区紧随其后，最近几年发展很快，图4给出了ingaalp超高亮度led的几种新型结构。除外延片的内量子效率在不断提高外，主要体现在：随着芯片结
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效提高器件的可靠性。 2.3 p型欧姆接触退化 在gan基led失效分析过程，对比器件退化前后的i－v特性[14]（图2）发现，已退化器件的寄生串联电阻增加使得相同电压偏置下的正向电
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