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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
采用出光筒控制光源方向和积分球收集光线，能有效防止能量损失，提高测试的精确性。通过实验得到了不同强度蓝光激发下的荧光粉光谱功率分布以及发光效能、量子效率、光转换效率等参数的变化规
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124216.htm2014/10/11 11:12:47
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
为提高蓝光管芯参数性能提供了依
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
目前人们正尝试采用近紫外光芯片激发红、绿和蓝三基色荧光粉得到白光led因此!当前急需研制适用于近紫外光有效激发的三基色荧光粉。
https://www.alighting.cn/2014/10/10 9:42:51
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
有关温升问题具体方法是降低封装的热阻抗;维持led的使用寿命具体方法，是改善芯片外形、采用小型芯片;改善led的发光效率具体方法是改善芯片结构、采用小型芯片;至于发光特性均匀化具
https://www.alighting.cn/2014/9/29 11:10:51
本文针对led 的发光特性，重点讨论了led 驱动的设计及特点，同时简述了led 目前存在的问题及解决方法。
https://www.alighting.cn/2014/9/29 10:45:31
当前白光led技术，主要采用蓝光芯片覆涂荧光粉的制作工艺，这种技术由日亚公司开发，从一定意义上沿袭了荧光灯管的发光原理，这种技术由于红光和绿光成分的缺少，使之先天性上就存在着对显
https://www.alighting.cn/2014/9/28 10:25:01
https://www.alighting.cn/2014/9/28 9:55:16
