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led台厂大陆遭遇滑铁卢 “夹心”发展水土不服?

屯兵大陆地区,本期望通过规模化的生产来扩大品牌的影响力以及市场占有份额,在这个群雄逐鹿的黄金地段中开疆拓土。然而,台湾led厂商在大陆的表现并未尽得人意,2013年上半年大多数上市

  https://www.alighting.cn/news/20130925/88131.htm2013/9/25 16:07:38

led基础知识大普及

发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化)、gap(磷化)、gaasp(磷砷化)等半导体制成的,其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性,即正向导通,反

  https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22

中村宇极:把握市场需求 深耕细分领域

面对国际大厂的围剿,中国led荧光粉企业如何在夹缝中获得生存?如何在这场市场争夺战中打开新局面?新世纪led网记者独家专访了中国led荧光粉代表厂商北京中村宇极科技有限公司副总经理

  https://www.alighting.cn/news/20130922/85410.htm2013/9/22 11:50:17

为降gan-on-si生产成本 veeco与imec联姻

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/201395/n889255853.htm2013/9/5 10:57:38

imec与veeco合作可降低gan-on-si生产成本项目

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43

德国azzurro推出1-bin波长的led晶圆

功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’硅基氮化led晶

  https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

硅基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

led产业突破 “集中安置”培育产业链式集群

用使得行业企业抱团发展,从中受益。  led产业源头突破  今年,留美归国博士、铝光电总经理庄德津率领他的团队,在全球范围内首次开发出在线氮化铝缓冲层生长技术,这一技术将减少两道氮

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13

景观灯具光源的分析

坨、等多种稀土元素,称为稀土系列金卤灯。由于二者使用的填充物的不同,导致他们的发光相差很大,美标的光通量高,而欧标的显色性好,可根据两种灯具的特点选择不同的使用场合。金卤灯的启

  http://blog.alighting.cn/134048/archive/2013/8/13/323434.html2013/8/13 16:29:53

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