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往的ccfl来当作背光，led几乎已经取代ccfl，成液晶面板(lcd panel)的背光光
https://www.alighting.cn/2013/12/30 10:59:22
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
管构成集发光与散热一体化的输入功率为21w的照明模组,该模组可根据照明亮度要求重构成不同功率的照明装置。对功率为144w的照明装置进行了理论分析与实验研
https://www.alighting.cn/resource/20130410/125748.htm2013/4/10 13:14:29
光转换成白光。分别就这两种管芯报道了我们研制的发射蓝、绿、黄、红等不同颜色的稀土发光材料，并报道了由它们制成的白光发光二极管的色坐标、相关色温和显色指数等参
https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
代。led的发光原理简单来说是由含电洞之p型半导体与含电子之n型半导体结合成之p-n二极管，在p-n二极管两端加上顺向偏压，当电流通过时，电子与电洞流至接合面接合时会放出能量而发
https://www.alighting.cn/2012/9/17 20:51:15
件载体。动态内存的采用打破了静态ram的使用局限,具有频率高、空间大和成本低的优点。本控制器采用vhdl语言进行程序编写,核心部分由状态机组成并采用新颖的读写方式来提高系统的总线利
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05
发光二极管led(light emitting ddiode)是利用半导体pn结或类似结构把电能转换成光能的器件，以其高效率、低功耗、低电压驱动、使用寿命长等优点，已在众多应用领
https://www.alighting.cn/resource/20110322/127860.htm2011/3/22 16:29:46
置，最终固化聚集成一道细细的胶合线。这有利于提高热传递过程中的总效率。新产品可提供1～6 watt/m.k的导热率，并且可根据等级采用滴涂或丝网印刷来涂抹这些产
https://www.alighting.cn/resource/20101102/128352.htm2010/11/2 0:00:00
