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采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
叙述了正向电压法测量功率型led温度系数k和热阻的原理,介绍了测试装置及具体测试过程,对蓝宝石衬底正装led和硅衬底倒装led的温度系数和热阻进行了测量。选用热阻已知的led样
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127243.htm2011/8/29 15:21:17
硅衬底led之所以引起业界越来越多的关注，是因为它比传统的蓝宝石衬底led的散热能力更强，因此功率可做得更大，cree就重点在发展硅衬底led，它目前存在的主要问题是良率还较
https://www.alighting.cn/resource/20110827/127250.htm2011/8/27 13:39:57
生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6h SiC单晶薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
从的标准等问题，帮助工程师更好地从事led照明设计。安森美半导体身为全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商，针对不同led照明应用，不论其采用何种电源供电，均提供应用所需的高性
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/25/164814_96.htm2011/7/25 16:48:14
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
