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《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
欧司朗光电半导体推出其首个直接发光绿色二极管激光器。推出的两款紧凑型激光二极管的光输出功率分别为 30 和 50 mw，光束质量特别高，代表着智能手机、相机等移动设备专用微型投影
https://www.alighting.cn/pingce/20121019/122244.htm2012/10/19 14:20:55
采用 x 光双晶衍射仪分析了 gan 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 gan2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 gan2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等。
https://www.alighting.cn/news/20111027/109398.htm2011/10/27 12:13:48
低添加量有机硅弹性体基光扩散粒子，为涌奇材料技术（上海）有限公司2017神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20170411/150023.htm2017/4/11 13:34:44
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00
本文将就led的特性、旋光性相关量测单位、量测项目与cie建议测试规范做一简介。
https://www.alighting.cn/resource/2007629/V12631.htm2007/6/29 10:24:21
https://www.alighting.cn/news/2007629/V12631.htm2007/6/29 10:24:21
近日记者获悉，2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目。
https://www.alighting.cn/news/20151229/135757.htm2015/12/29 9:39:53
