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led照明驱动的发展必须转向成熟化

或改变输入电压等方法调光,调光范围太小。若使用大功率晶体管或场效应管,采用电子镇流器的形式,则可以大大改善荧光灯和其他气体放电灯的调光性能,增加其调光范围。如合迈光电在调光上的解

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/6/1/318434.html2013/6/1 14:15:50

提高gan基发光二极管外量子效益的途径

层(dbr)结构, 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53

蓝宝石(0001)衬底上ga浸润层对zno外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49

化学共沉淀法制备的红色荧光粉及其发光性能

对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

电源质量问题的危害因素分析

、导线更细。几年前,一平方厘米的计算机芯片有2,000个晶体管而现在的奔腾机则超过10,000,000个。从而增加了计算机受电涌损坏的概率。由于计算机的设计和结构决定了它应在特

  http://blog.alighting.cn/143340/archive/2013/5/22/317776.html2013/5/22 20:43:51

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

r和bcl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

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