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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
直led架构、飞利浦依旧偏爱薄膜覆晶，然而他们也去除了蓝宝石晶体、cree使用不同的覆晶接线技术。虽然飞利浦使用晶球凸点技术，cree则使用低温溶晶，进一步降低成本，并更能增进接触热
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
助，我将尝试把我的想法展现给那些不在会议现场的人。从电子器件的发展初期开始，先看两张具有重大里程碑意义的图（左上角），从上到下展示的分别是世上第一个点接触型半导体晶体管（1947，威
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/5/2/316102.html2013/5/2 15:00:19
2013年6月9日至12日，万邦光电（www.wanban.com）将携晶体封装技术、360°通体发光及mcob封装技术三大独创技术产品高调亮相2013广州国际照明展览会，展位面
http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/4/27/315772.html2013/4/27 16:11:52
