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leister20127

工防水层、及其它防渗防水膜层焊缝检漏仪(真空罩检漏仪,土工膜双焊缝测漏针,薄膜焊缝检测拉力机)。在电镀槽、化学贮罐、塑料管道、塑胶地板等塑料焊接中,塑料焊接的质量显得非常重要,往往

  http://blog.alighting.cn/184164/2013/5/29 11:26:43

蓝宝石(0001)衬底上ga浸润层对zno外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49

退火温度及退火气氛对zno薄膜的结构及发光性能的影响(英文)

采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条

  https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49

氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

叙影响led发展的必然因素

括芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进,led 在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮 led芯片生产中的核心技术,能够减少各侧面的光输出损耗,并能借

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

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