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东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
一种双向二极硅流管和一种纳灯电子触发器。双向二极闸流管是用硅单晶片制成的ｎｐｎｐｎ五层结构的二极管，用于交流电路中因无控制极可简化电路
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8829.htm2007/2/8 14:30:03
研究以发光二极管(led)作为光源的部分相干光数字全息技术。首先研究led的时间相干性和空间相干性,尽管led的时间相干性较差,但空间相干性可以通过减小光源发光面积来提高。利
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127111.htm2011/9/20 13:35:45
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在gan基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
本文对发光二极管下游封装(结构参数)进行了探讨和研究。利用光学仿真模拟软件tracepro对led进行光学建模,在此基础上通过对聚光腔的优化设计来改变led整体的发光效率。
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125177.htm2013/10/29 13:49:05
从发光二极管(led)的发光原理及结构出发,建立了led的光学模型,获得了它的光强分布曲线,并与实际测量数据进行了比较。通过改变模型中反光碗的张角、支架的插入深度、封装环氧树脂折
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125963.htm2013/3/5 10:13:11
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127271.htm2011/8/22 14:50:40
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
