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led日光灯电源设计有关发热烧mos五大关键技术点分析

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2ma,300v的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6w,当然会引起芯片的发热。

  https://www.alighting.cn/2014/11/21 10:40:32

gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

光通量提高至约1.4倍的光子晶体gan类led

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的gan类led,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00

提高发光二极中gan_材料质量的技术研究

膜,对薄膜晶体质量、位错密度,以及对材料电学光学性质进行了表征。 在此基础上,我们还在蓝宝石图形衬底上制备了发光二极(led)器件结构,并研究了发光效率的提升机

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

人工欧泊填充inp后的形貌和反射谱特性

制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41

led发光二极结构详解

led lamp(led 灯)主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/128340.htm2010/7/12 15:12:18

led开关电源的几种常见保护电路设计

一款好的led开关电源除了需要稳定、高效、可靠外,电路的各种保护措施也必须精心设计,避免在复杂环境条件下能够迅速的对开关电源电路和负载进行有效保护,本文介绍led开关电源的几种常见

  https://www.alighting.cn/resource/20130111/126181.htm2013/1/11 11:27:23

以ccr驱动led串的散热注意事项

在总体系统散热设计中必须顾及在固态照明应用中控制电流的恒流稳流器(ccr),以确保可靠性以及一致的性能。

  https://www.alighting.cn/2012/9/25 10:08:28

pwm为改变led光输出首要方法

本文探讨提供发光二极体(led)调光的方法,分析led调光对其长期性能及所发射出光的色彩稳定性之影响,并特别探讨如何结合使用线性恆流稳流器(ccr)及数位电晶体来提供脉衝宽度调变(

  https://www.alighting.cn/resource/20120323/126647.htm2012/3/23 15:31:58

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