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2013年仍是产业转移的一年。国内厂商就技术而言还是比台湾厂商有少许的落后，不过，由于响应速度快、新技术投资配合积极以及成本优势等原因，国内厂商的份额将提升。订单预计主要向优势厂
https://www.alighting.cn/news/20121228/89201.htm2012/12/28 10:20:02
型的产业链环节向中国转
https://www.alighting.cn/news/20120215/89500.htm2012/2/15 11:42:15
led制造商cree放缓了向较大晶圆制造转移的步伐，目的是为了保持更高的工厂利用率及盈利水平。虽然led照明市场不断壮大，但仍然处于发展初期，供应链中led芯片的过剩抑制了整体需
https://www.alighting.cn/news/201226/n098834796.htm2012/2/6 10:01:19
住友3m在“fpd international 2007”上展出了可使背照灯亮度提高10％的光学薄膜。通过将背照灯的光分离成p偏振光和s偏振光、使无法透过液晶面板下方偏光板的偏振
https://www.alighting.cn/resource/20071102/128557.htm2007/11/2 0:00:00
tft（thin film transistor）lcd即薄膜场效应晶体管lcd，是有源矩阵类型液晶显示器（am-lcd）中的一种。tft-lcd产业技术成熟，大规模生产的成品率
https://www.alighting.cn/resource/20140829/124311.htm2014/8/29 12:02:06
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
日本sharp近日宣佈，将在日本大阪市中央区的淀屋桥再开发大楼的璧面角部及回廊部分配「lumiwall」，内建led的薄膜太阳电池，系一种白天发电夜晚发光的玻璃。
https://www.alighting.cn/news/20080403/94642.htm2008/4/3 0:00:00
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
zzec –mmkp82双面金属化聚脂薄膜电容器，为广州中正电子发展有限公司2020神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20200312/167074.htm2020/3/12 14:27:06
