检索首页
阿拉丁已为您找到约 290条相关结果 (用时 0.0019288 秒)

氧气流量对脉冲激光沉积zno薄膜的形貌及光学性质影响

使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30~70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42

硅晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

大功率led芯片的几种制造方法

大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

蓝宝石项目晶体生长技术研究报告

这份是专门针对全球及中国蓝宝石晶棒产业的深度报告,研究中心采用客观公正的方式对蓝宝石晶棒产业的发展走势进行了深度分析阐述,方便客户进行蓝宝石晶棒行业发展规划,投资决策,本项目在运作

  https://www.alighting.cn/2012/3/5 17:46:44

提高led显示屏发光效率的几个技术因素

目前,国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域,显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端,那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36

晶柱切片后的处理

硅晶柱长成后,整个晶圆的制作才到了一半,接下必须将晶柱做裁切与检测,裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理,最后才能成为一片片价值非凡的晶圆,以下将对晶柱的后处理制程

  https://www.alighting.cn/resource/20110421/127709.htm2011/4/21 15:40:34

led生产中的六种芯片技术

目前,led行业发展的主要的瓶颈就在技术层面,专利被大量注册在某种层面上的也制约了新技术的传播和发展,本章介绍六种在led生产中的技术;

  https://www.alighting.cn/resource/20101129/128179.htm2010/11/29 17:27:34

高亮度led之“封装光通”原理技术探析

持续追求高亮度的led,其使用的封装技术若没有对应的强化提升,那么高亮度表现也会因此打折,因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论,包括光通方面的讨论,也包括热导方面的讨论

  https://www.alighting.cn/resource/20101110/128230.htm2010/11/10 10:31:42

首页 上一页 17 18 19 20 21 22 23 24 下一页