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高出光效率，并实现特定的光学分布。实验结果表明：文章提出的封装工艺对于提高光通量和光效、调节色温有良好的效
https://www.alighting.cn/resource/20130806/125417.htm2013/8/6 16:47:55
射引入芯片的光学建模,通过裸芯片和封装后芯片的仿真结果与实验结果的比较,确定了led芯片的精确光学模型和相应的仿真计算方法,将芯片的取光效率和光强分布的模拟准确度提高到95%以
https://www.alighting.cn/resource/20130723/125442.htm2013/7/23 11:41:57
一份出自杭州远方光电信息有限公司，由潘建根/教授级高工主讲的关于介绍《半导体照明标准和测试方法简介》的讲义资料，介绍了半导体照明标准以及相应的测试方法，现在分享给大家，欢迎下载附件
https://www.alighting.cn/resource/20130710/125465.htm2013/7/10 11:37:02
本文介绍并探讨了一种新型的基于成像方法的测试光度计，并且对其进行了研究，对于具有半面发光特点的led光度测试，给出了一种解决方案.目前测试的结果，比较吻合实际led的配光曲线，具
https://www.alighting.cn/resource/20130709/125467.htm2013/7/9 11:04:42
描电子显微镜(sem)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,gan缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长gan岛间合并延迟.x射线衍射(xrd)和光致发光谱(pl)测
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
子力显微镜、微摩擦计和扫描电镜等对薄膜的表面形貌、摩擦系数和耐磨损性能进行了表征和测量
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了(y1-x-y,gdy)2o3∶xeu3+(x=0.06～0.10,y=0,0.20～0.25)系列红色荧光粉。用xrd、sem和荧光分光光度计,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
善荧光粉层结构形状,以提高白光led器件的出射光斑均匀性。并通过九点法对不同工艺结构下led出射光斑的空间色度分布进行了测量和分
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125564.htm2013/5/27 10:37:19
