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中：a为芯片的pn结面积,q是电子电量,w是pn结的势垒区宽度,ln、lp 分别为电子、空穴的扩散长度,β是量子产额(即每吸收一个光子产生的电子-空穴对数), p是照射到pn
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
与alingap两种led用的半导体材料,在各尖峰波长(光色)下的外部量子化效率图,虽然最理想下可逼近40％,但若再将光取效率列入考虑,实际上都在15％;25％间,何况两种材料在更高效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
光效率、色品坐标、相关色温、色纯度和主波长、显色指数等参数。矿灯用的ｌｅｄ,主要是光通量指标,一般矿灯要求达到３０lｍ以上,国内市场上的pｏｗｅｒled一部分能达到这个要求,量子光
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f,f＝forward)求得。■裸晶层：「量子井、多量子井」提升「光转效率」虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化,但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部分,毕竟裸晶结构的改善也能使光通量大
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的??色和亮度。其实,在几微米厚的外延层中,真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米＝1000纳米)厚的量子阱结构。反应
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率,可降低成本,降低包装及电路的控制难度；但技
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包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管
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期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
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