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https://www.alighting.cn/resource/20050720/128875.htm2005/7/20 0:00:00
https://www.alighting.cn/resource/20050720/128876.htm2005/7/20 0:00:00
一份出自杭州远方光电信息有限公司，由潘建根/教授级高工主讲的关于介绍《半导体照明标准和测试方法简介》的讲义资料，介绍了半导体照明标准以及相应的测试方法，现在分享给大家，欢迎下载附
https://www.alighting.cn/resource/20130710/125465.htm2013/7/10 11:37:02
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
我国led照明节能产业已经进入发展的关键期，需对行业进行有序引导，促进led照明节能产业的健康发展，推动绿色照明工程，实现节能减排。附件为《半导体照明节能产业规划》pdf，欢迎大
https://www.alighting.cn/resource/2014/8/4/18332_52.htm2014/8/4 18:03:32
