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福地电子启动led外延片项目

东莞市国资委组织并主持召开“东莞市福地电子材料有限公司‘led外延片产业化’项目评审会经过评估与论证,专家组一致认为,福地电子具备较好的产业基础,在led外延片研发和生产方面具

  https://www.alighting.cn/news/20101220/n196029708.htm2010/12/20 17:56:05

高导热铝基板制作流程

pcb铝基板是一种独特的金属覆铜板,它具有良好的导热,电气绝缘性和机械加工性能,在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理,可以降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产

  https://www.alighting.cn/2012/2/16 11:20:14

ito表面粗化提高GaN基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

新材料器件进展与GaN器件封装技术研究

本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究,有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢!~

  https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38

【有奖征稿】非极性GaN薄膜及其衬底材料

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

led外延芯片标准上半年有望推出

北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义接受记者采访时说:“led外延芯片标准评审已经通过,今年上半年可能就推出了。”

  https://www.alighting.cn/news/2012510/n881739606.htm2012/5/10 9:35:13

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