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高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

高导热铝基板制作流程

pcb铝基板是一种独特的金属覆铜板,它具有良好的导热,电气绝缘性和机械加工性能,在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理,可以降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产

  https://www.alighting.cn/2012/2/16 11:20:14

日本启动GaN开发项目,诺奖得主天野领军

日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说,“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核

  https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20

led外延片的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00

led外延片成长工艺的解决方案

早期在小积体电路时代,每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

新材料器件进展与GaN器件封装技术研究

本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究,有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢!~

  https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38

【有奖征稿】非极性GaN薄膜及其衬底材料

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03

日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

从led工作原理可知,外延片材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有

  https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04

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