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电极耦合层对GaN基蓝光led出光特性的影响

通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光le

  https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13

led照明材料后起之秀—石墨烯产业发展现状

据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成本。跟昂贵的sic或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出GaN薄膜的传统方式相比,这种新方法的成本效

  https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18

李世玮——2015年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

及佛山市香港科技大学led-fpd工程技术研究开发中心主任;曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2014/11/28/362085.html2014/11/28 16:56:55

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

ito表面粗化提高GaN基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

GaN基倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

inGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

具有三角形inGaN/GaN 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

si衬底GaN基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是,蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比,更容易提高电

  https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03

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