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oled元件材料结构与技术发展

介绍oled元件的基本特点,oled小分子和高分子元件的区别,详细的oled技术特点的数据对比,详细分析oled的动作原理,并重点分析oled元件材料特性和发光方式,介绍ole

  https://www.alighting.cn/resource/2011/1/20/151451_00.htm2011/1/20 15:14:51

基于si衬底的功率型GaN基led制造技术

1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30

led关键材料实现高效低成本

近日消息,中国科学院福建物质结构研究所承担的高效低成本室内照明led关键材料与技术研发项目,日前通过验收。该项目面向室内照明的关键材料与共性技术进行研发,取得了几项成果。

  https://www.alighting.cn/2013/1/9 11:16:02

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

稀土在光学材料中的应用

本文对不同稀土离子的发光特性、发光机理进行了综述,对稀土发光材料的应用进行了总结,希望在发光材料的应用方面有所新进展。

  https://www.alighting.cn/2014/4/21 10:39:45

黄海北路亮化工程材料采购(二次)

黄海北路亮化工程材料采购(二次)

  https://www.alighting.cn/news/2010830/V24978.htm2010/8/30 11:45:52

硅衬底GaN基ledn极性n型欧姆接触研究

在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

华灿光电王江波:高效GaN基led的研究进展

2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39

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