站内搜索
利总量的43%，led封装占比约21%，外延及芯片占比分别为18%和17%，衬底占比约1%。外延方面，国内的量子阱以及缓冲层技术专利与国外存在量与质的差距。芯片方面，国内的芯片外形技
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/22/315101.html2013/4/22 10:39:43
一份由深圳市量子光电子有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21
层界面平整化技术，大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电，led器件寿命延长一倍。 2005年开发出有源层应力预释放led新结构，将有源层InGaN的v-pits缺陷密度降低一
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的InGaN体系，以及紫外光的gan和algan体系。目前InGaN体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
通过对高功率InGaN(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析,可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/温度/光通量的分
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
源比起来，二色性滤镜由于放置在光源前部而承受相对较低的热压，受使用时间的影响更小。2．光辐射的化学效应光化学作用是使物质分子发生化学变化的过程，变化的激活能量来自于对光子（光量子电磁
http://blog.alighting.cn/169785/archive/2013/4/10/313949.html2013/4/10 10:52:02
led产品外延结构的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定，其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
量子点将大量注入市场。量子点可带来更低成本、更长寿命和更亮照明，据wintergreen research公司最近研究《2013—2019年全球量子点量子点显示技术市场份额、策
https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121855.htm2013/4/7 11:22:13
面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
以红色led材料algainp,绿色和蓝色led材料InGaN三芯合一的全彩led为研究对象,通过大量实验及所测数据,研究用高密高位led作场序彩色液晶显示器背光源,在不同情况
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43
