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外延改善LED芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映LED芯片性能的一项重要指标,可用于评估LED在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前LED研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

cree年底前完成4英寸芯片升级

cree公司ceo chuck swoboda表示,公司已经开始生产四英寸的外延片,同时计划在LED产品方面增加研发开支,逐步转向四英寸碳化硅衬底,预计在第三季度度末四英寸芯片

  https://www.alighting.cn/news/20090616/95477.htm2009/6/16 0:00:00

[芯片市场]国内LED芯片产业销售额排行及竞争格局

近年来,我国LED芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光LED有很大突破,有报道显示,光效已达到90lm/w-100lm/w。

  https://www.alighting.cn/news/2010512/V23678.htm2010/5/12 9:41:58

LED三维封装原理及芯片优化

为了使LED通向照明,各大厂急需解决的问题是降低成本,增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下,如何注入大电流。本封装适合于垂直结构LED,工艺上取消原来的LED芯片n-

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127316.htm2011/8/15 10:25:28

中国LED芯片市场供需关系逐步改善

2016年之前,LED芯片厂商纷纷扩大业务,造成产能过剩明显,价格持续快速下滑,使得LED行业发生剧变。众多经营不善的小企业由于技术落后等原因,纷纷减产或者转型,大量LED企业退

  https://www.alighting.cn/news/20170208/147923.htm2017/2/8 9:30:14

基于mems的LED芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56

LED芯片及器件的分选测试

本文主要介绍LED芯片及器件的分选测试,LED的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的LED进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

全球一线LED芯片生产厂商简述

为你搜罗全球一线LED芯片生产厂商。

  https://www.alighting.cn/news/2009129/V22095.htm2009/12/9 10:56:44

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