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变，其中一个值得注意的例子就是cree，其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led，其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除，而led结构已接在另
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
下文为李世玮教授发表在学刊《frontiers of optoelectronics》上关于“led晶圆级封装”的论文。这篇文章还被该学刊评为2012年度下载次数最多的论文，现
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/5/3/316308.html2013/5/3 14:31:18
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
外，他也曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺及焊点可靠性。他
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/4/25/315565.html2013/4/25 15:48:10
心（http://www.fsldctr.org）的创建主任。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔(tsv)和高密度互连、 led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺
http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/4/25/315564.html2013/4/25 15:46:34
d工程技术研究开发中心主任。除此之外，他也曾经外调担任过香港纳米及先进材料研发院的技术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术
http://blog.alighting.cn/lishiwei/2013/4/25 15:41:20
％，催生出了对于蚀刻pss晶圆的等离子设备的需求。现在，已经投入使用的用于制造pss的干法刻蚀设备约有280台，其中有200台是在2011年或2012年安装的。2012年估计也将维
http://blog.alighting.cn/177777/archive/2013/4/21/315007.html2013/4/21 11:48:39
术总监。李教授的研究领域覆盖晶圆级和三维微系统封装、硅通孔和高密度互连、led封装和半导体照明技术、以及无铅焊接工艺及焊点可靠性。他的团队在国际学术期刊及会议论文集上发表了近三百
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/16/314606.html2013/4/16 16:17:47
、普瑞、晶圆等厂家led设计的灯具有什么区别？a：首先是价格区别；日亚的led价格是目前市场上最贵的，台湾和国内的led是较为便宜的。第二是性能区别；并不是采用了国际大厂led的灯
http://blog.alighting.cn/173475/archive/2013/4/16/314601.html2013/4/16 15:34:41
