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由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
借用原子吸收光谱仪的光学系统，在火焰燃烧头的上方，放置一个简单的比色池装置，以照明用高亮度发光二极管(led)代替原子吸收的空心阴极灯，设计了一个分光光度计。以经典的分光光度实验
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/30/163945_17.htm2012/3/30 16:39:45
飞兆半导体的设计团队为解决肖特基二极管出现泄漏故障的问题，开发了一种叫100 v boostpak解决方案。本文通过 二极管漏电流比较、对反向恢复时间进行比较、输出电压v= 55
https://www.alighting.cn/resource/20140328/124725.htm2014/3/28 9:54:13
该文采用聚乙烯基咔唑(pvk)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(alq3)作为发光层,制备了结构为ito/pvk(0～60nm)/alq3(60nm)/mg:ag/al的有机发光二
https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
ed数码管按控制方法分则分为：内控和外控;区别在于是否有单独的信号接头和电源接头;信号接头一般采用四芯的信号接头，设计原理大同小异;电源接头则采用两芯的。
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/2/1547_31.htm2012/2/2 15:04:07
