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本文介绍了有源oled的像素驱动电路,分析了彩色灰度实现方法,提出了时间子场的数字灰度技术结合数字像素电路的驱动电路设计方案。
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125607.htm2013/5/14 11:32:35
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
与传统照明灯具相比，led灯具不需要使用滤光镜或滤光片来产生有色光，不仅效率高、光色纯，而且可以实现动态或渐变的色彩变化。在改变色温的同时保持具有高的显色指数，满足不同的应用需
https://www.alighting.cn/2013/5/10 17:40:54
示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
样，高亮度led也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度led (hb led) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
d的荧光粉涂覆技术、散热技术以及多晶片封装技术等方面的专利现状,并在此基础上提出了下一阶段大功率led封装可能的发展方
https://www.alighting.cn/2013/4/28 11:17:10
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
光改造项目包含两片11人制足球场地和三片5人制足球场地。设计为满足业余比赛及专业训练照度要
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/26/143526_73.htm2013/4/26 14:35:26
大尺寸背光模组中，为降低成本，增光膜、扩散膜，甚至反射片都在寻求或正在进行与导光板的整合，使得现在的导光板设计更为复杂，也具有更重要的意义
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125681.htm2013/4/23 11:44:30
