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、企业等重视。但目前led照明广泛应用还受到散热设计、材料、电器配件、驱动电源等技术问题阻碍。 全球首创：36伏照明产品河源诞生 经过多年攻关，一种全球首创的更安全、更节能、
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
、政府、企业等重视。但目前led照明广泛应用还受到散热设计、材料、电器配件、驱动电源等技术问题阻碍。 全球首创：36伏照明产品河源诞生 经过多年攻关，一种全球首创的更安全、更节能
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/6/309512.html2013/2/6 8:25:47
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
六、led制造装备（封装设备）发展现状分析a)上、中游的外延生产及芯片制造设备行业： 全球有近200家公司和300多所大学以及研究机构从事氮化镓基led的材料生长、器件制作工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143104.html2011/3/16 21:36:00
硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
c)，氮化镓(gan)，硅(si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(sic)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
备可以实现复杂的氮化镓、铟镓氮、铝镓氮超薄层结构的大批量生产，这些超薄层结构对于高亮度led是必需的。中微的mocvd设备不仅具有精准的参数控制、全自动化处理和独特的紧凑设计等特
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313061.html2013/4/1 11:17:40
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
