站内搜索
膜进行了表征和分析。研究了退火温度、氧氩比和溅射功率对薄膜光电特性的影
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
当led所处环境温度高于安全工作点温度时，led的正向电流就会超出安全区，使led的寿命大为降低甚至损坏。解决方法是利用温度补偿电路来不断减小led的正向电流值，避免led因温
https://www.alighting.cn/2011/10/20 11:42:02
以都属于潮湿敏感性元件，而潮湿敏感性元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于树脂的表面贴装元件(smd, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损
https://www.alighting.cn/2011/10/19 17:00:53
led在发光强度、波长、实用性和价格上有很多优点,因此它被广泛应用于生物医学工程领域。如果用高亮度led照射人体皮肤或组织,皮肤表面温度会提升。通过对led阵列光源结构的研究,设
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:23:12
热的真实效果，我们分别使用新旧加工工艺制作两款相同的型号的led照明灯具，并在相同的条件测试led照明灯具各点的温度，在新的加工工艺下，led灯具中的led底座的温度明显下降了4.
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/19/245165.html2011/10/19 9:38:32
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
