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行自我诊断。 另外tlc5941还提供了gclk管脚，输入一个时钟信号可以同步pwm的产生。 3 基于tlc5941的动态扫描驱动电路 本设计对象是64
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置的显示模块，模块上的列锁存单元能够准确选通，使横向级联的leD显示模块能够被视为一段连续的存储单元。 ◆使用s3c44box内部的Dma控制器进行数据的传输和控制，节省了使
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热系数的金属材料如铜或铝。 3、衬底粘接材料对大功率leD热特性的影响 leD倒装芯片被粘在管座（器件内部热沉）里，可以通过三种方式：导热胶粘贴、导电型银浆粘贴和锡浆粘贴。导热
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计，这样一来lcD的厚度就能做到更薄，同时还拥有更高的可靠性和稳定性。 其次，在发光寿命方面，leD背光技术则超越了ccfl，是ccfl技术的提升。普通的ccfl背光的寿命基本在3万
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成，由里到外是素材、铜、镍、铜、银这五层所组成。 3）、支架的种类：带杯支架做聚光型，平头支架做大角度散光型的lamp。 a、2002杯/平头：此种支架一般做对角度、亮度要求不
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知的那部分当量,称作为光通量φv(1m).辐射通量与器件的电功率之比表示leD的辐射效率;光通量与器件的电 度指在给定方向上单位立体角内所发射的光通量: i= Dφ/Dω(c
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D温度的升高而下降，所以leD的散热非常重要。电源的效率高，它的耗损功率小，在灯具内发热量就小，也就降低了灯具的溫升。对延缓leD的光衰有利。 3．高功率因素 功率因素是电网对负
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leD焊接条件 (1)、烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体4毫米。 (2)、浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
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素(1997-09) （ 3）iec60747-5-3 Discrete semiconDuctor Devices anD integrateD circuits-part 5-
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于pvin和200mω检测电阻器之间，以在pvin上实现共阳极连接。这与用于3个自由浮动leD串的常见降压模式配置是完全不同的。在标准的稳态操作中，该电路可向每个leD串输送500m
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