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记者从国家发展改革委环资司了解到，国家将继续大力推广led照明设备，逐步取消传统白炽灯的生产和使用。有关专家表示，世博会后，无论是旅游景点，还是大型建筑、商场宾馆，采用led取代传
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262705.html2012/1/29 0:38:57
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
电台垫、防静电环、防静电衣、湿度控制、设备接地（尤其切脚机）等都是基本要求，并且要用静电仪定期检测。2、 过波峰焊温度及时间 须严格控制好波锋焊的温度及过炉时间，建议为：预热温
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262650.html2012/1/29 0:35:41
示）单元，发光（显示）单元由若干led组成，即在方形的乳白色pc保护罩内，装有焊接若干led的电路板。这样一个一个方形的“灯泡”象素单元按照一定的矩阵排列而通过定位卡环、螺钉等固定在防
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路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
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