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后十年，高亮度、全色化已成为led技术研究的主要课题。1991年日本东芝公司与美国hp公司研制成四元系橙色、黄色、黄绿色超高亮度led。1994年日本日亚公司研制成GaN（氮化
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34527.html2010/2/27 16:05:00
国没有学到技术,回来后没有工作岗位,什么都是没有,中村只能一切从零开始。 无法实现GaN膜 即便如此,中村还是开始了研究。虽然在职场上中村如同浦岛太郎,但派他去美国的社长却记住了
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40243.html2010/4/14 22:51:00
司在有氮化镓（GaN）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114812.html2010/11/17 22:48:00
4 的红光led，gaas0.35p0.65 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而ga
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
化镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
光 led等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。 而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
