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W）一样，每24个月提升一倍，过去认为白光led只能用来取代过于耗电的白炽灯、卤素灯，即发光效率在1030lm/W内的层次，然而在白光led突破60lm/W甚至达100lm/W
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的ingan，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
少了60%以上，演播室的温度也降到更为舒适的程度。ivision的lumos drive 36可提供2.5-4.0 khz的led脉冲，而不是会产生闪动电视影像的50-60 h
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134122.html2011/2/20 22:57:00
用芯片为mc3487和mc3486，rs－422在传输率为100kb/s时，可传输的最大距离为1200米，本系统的传输距离约为200米，传输速率最大为115kb/s，采用rs－42
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
成led结特性退化，光功率迅速下降。失效后器件的电学特性主要表现为结漏电流增加，如图1所示[11]，这一失效机理的发现，是对nichia公司的gan基led施加100ma电流脉冲[7
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现状和gan基器件的进展情况。 关键词：gan；si衬底；外延生长 中图分类号：tn316 文献标识码：a 文章编号：1003
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
d正在崛起，而最新的技术进步已把人们的目光再次聚焦于这一不起眼的发光二极管身上。 新一代的1W、3W和5Wled的输出是标准led输出的10～50倍，这使得在利用这些新型led进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
行放大以匹配1.25v的标准能隙基准电压，则当1a电流通过led时，电流感应电阻的功耗为1.25W。但其对整个控制环的影响不大。降低的rsns值大致抵消了增加的增益。对于增益asn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
v；发光效率大于20lm／W，优于白炽灯泡，次于荧光灯(601m／W～100lm／W)，2004年，发光效率可提高到60lm／W，接近荧光灯水平，从而可大量用于照明市场；光通量为231
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
将集成功率级led与集成恒流源电路进行一体化混合集成工艺设计，保证了3～10 W的集成led在低于100ma的驱动电流下正常工作。恒流源采用跟随浮压技术进行设计，使集成led的工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
