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.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件: ●样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯; ●工作电流为30ma; ●环境条件为室温(25℃±5℃); ●试验周期为96小时
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43
中静电危害的主要方式。静电损伤具有如下特点: 1、隐蔽性 : 人体不能直接感知静电,即使发生静电放电,人体也不一定能有电击的感觉,这是因为人体感知的静电放 电电压为 2-3kv 。大
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前的手机相机主要采用leD闪光灯。闪灯用的leD只需要3.5~4.5v直流电压、120~250ma电流就可以发出2000~7500mcD的高亮度光。leD低压闪光灯电路简单、高效
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261462.html2012/1/8 21:39:02
关重要。一般来说,leD的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝leD均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。leD芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
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0c2000家族中最新、功能强大的Dsp,其中lf2407是最具有革命性的产品,是一款集成度较高、性能较强的Dsp,采用高性能静态cmos技术,使得供电电压降为3.3v,减少了控制
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1 红(r) leD高亮度发光管 625nm 2 绿(g) leD高亮度发光管 525nm 3 蓝(b) leD高亮度发光管 470nm二、leD的分类1.按发光管发光颜
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261545.html2012/1/8 21:49:09
能灯也有3w规格的超小型产品问世,从目前leD与节能灯的性价比而言,leD照明的普及尚有较长的路要走。由于下游封装和应用所需的资金和技术要求相对较低,目前国内80%以上的leD企
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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262604.html2012/1/29 0:33:07
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