站内搜索
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的tl-2212超导薄膜。xrd测试显示,薄膜为纯的tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的tc
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
型芯片产业化水平达到80-90lm/w,更加接近国际产业化水平,在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术,如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
热对流;sapphire衬底材料极低的热导率导致器件热阻增加,产生严重的自加热效应,对器件的性能和可靠性产生毁灭性的影
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的p型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23