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流可以达到70ma、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
统较高量的液态电容用作储波及滤波作用。digital pwm数字控制技术,能够使得mosfet管运行在更高的频率下,有效的缓解了电容所受到的压力。digital pwm适用于大电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230148.html2011/7/19 0:10:00
合导体中脱出的一股游离导体不接触金属部件(对于电源导体)或带电部件(对于接地导体)。 自攻螺钉在使用上有什么限制? 除非有适当的锁紧装置(如弹簧垫圈),自攻螺钉不能用于连接载流部
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230136.html2011/7/19 0:04:00
接处形成金属一介质-金属结构,也称为隧道结。当一定强度的光照射在led芯片上,若led芯片失效,支架回路无光电流流过若非金属膜层足够厚,只有极少数电子可以隧穿膜层势垒,led支架回
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
0°,压力是1至7mpa,时间从几分钟到几小时。低温时需增加时间和压力。如果时间和压力不够,通常晶圆与晶圆间只有局部的结合。锡金共熔法是通过固体与液体的扩散而形成金属间化合的合金来
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
07-1110:03从安装方式分为卡口、螺口等方式,从材料分为电木、塑料 、金属、陶瓷等材料,通常用的灯座如e27是最普遍的节能灯 螺口灯座,而配合日光灯的灯座通常称为t8灯座或
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地电压却不可能在各种使用场合满足安全特低电压的要求。此类控制装置不属于selv 标志,其输入、输出端子与可以触及的外部金属之间,对内装式控制装置,其防触电保护起码达到基本绝缘的要
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f 随 if 而变化,所标 vf 值仅供参考。二、区分电极根据外形可以区分发光二极体的正、负极。早期生?a的管子带金属管座,上面罩有光学透镜,管侧有一突起,靠近突起的是正极。目前
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230099.html2011/7/18 23:45:00
极管封装方面的专利技术。osram于2003年推出单芯片的golden dragon”系列led,其特点是热沉与金属线路板直接接触,具有很好的散热性能,而输入功率可达1w。日亚的1
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时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难,当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法,使电流扩散,以达到均匀发光的目
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