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要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mo gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。 led外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
据高工led 产业研究所调查，一些中大功率的led芯片已经开始涨价，蓝宝石材料也出现短缺，对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说，并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261536.html2012/1/8 21:48:45
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34
率,避免了显示屏越大,其他单片机频率底而出现的闪烁现象。经过调试,显示屏工作稳定,已用于一些商场及公共场所,效果良
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261519.html2012/1/8 21:47:37
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261513.html2012/1/8 21:47:19
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
良的电极结构，视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值，这些电阻相互垒加，构成led元件的串联电阻。当电流流过p—n结时，同时也会流过这些电阻，从而产生焦耳热，引致芯
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对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的ingan芯片制造方法在蓝宝石衬
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