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明是高效率的oled阴极材料。为了以后更好地了解目前应用最广泛的mg/ag合金阴极的特性及对oled性能及寿命的影响，主要研究了mg阴极的真空蒸镀制备过程和工艺、薄膜的成膜特性及热处理
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
因led是窄光束、高亮度的发光器件，考虑到其辐射可能对人眼视网膜的危害，因此，对于不同场合应用的led，国际标准规定了其有效辐射的限值要求和测试方法，目前在欧盟和美国，照明led产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
去algainp的led，其基板所用的材料为gaas，然黑色表面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收，造成光能的浪费，因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日亚化学工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
要将led焊接到pcb板上。 f)切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试：检
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
与紫外线辐射和温度升高，封装材料的透明度研究下降[1－4]。众所周知，长时间接受紫外线的辐射会降低许多聚合物的光学透明度，而gan系统的带间辐射复合会产生紫外线，所以认为紫外辐射引
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
地控制膜厚，特别适合于leds和lds的大规模工业化生产，目前已经成为使用最多、生长材料和器件质量最高的方法。美国的emcore、德国的aixtron公司以及英国的thoma
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
以解决的技术问题。 在承担的国家级科技攻关项目中，我们将新设计的dis1xxx系列浮压恒流集成二极管与led芯片通过厚膜集成电路工艺技术集成为一体，解决了集成功率级led在使用
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
面化学反应、固态生成物沉积与气态产物的扩散脱离等微观的动力学过程对制程亦有不可忽视的影响。ｍｏｃｖｄ 化学反应机构有反应气体在基材衬底表面膜的扩散传输、反应气体与基材衬底
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
离材料放置困难而导致ic芯片数量提高的相关问题； ● 由于要求的引线框和封装图形，需要明显大得多的封装。光学耦合器制造技术 光学耦合器的工作基础是led发出的光通过透明的绝
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
点，是gan氮化物半导体的纵光学(lo:longitudinal optical；以下简称为lo)与音子(phonon；格子波的量子)的能量(? ω =h/2π，h为膜厚plank常
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
