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国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
韩国—GaN半导体开发计划 欧洲—彩虹计划 中国—国家半导体照明工程 由于led的光源特性、特殊的产品设计以及高效率驱动电路,而且在光学设计方面,led是单向
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
道，维持向上格局。ims research的预估，2011年GaN led出货量将达620亿颗，总产值则由2010年的80亿美元跃升至108亿美元，首次突破百亿大关。 led
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型GaN上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
展的发光二极管给未来照明带来曙光。1996年，日本日亚化学公司在GaN蓝光发光二极管的基础上，开发出以蓝光led激发钇铝石榴石荧光粉而产生黄色荧光，所产生的黄色荧光进而与蓝光混合产
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222046.html2011/6/19 22:53:00
