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中国新的半导体照明产业化研发中心日前落户天津滨海新区，该研发中心由天津工业大学牵头投资建设，其主要研发方向定位于led外延片（外延片）、芯片（芯片）、封装、照明应用产品技术开发，系
https://www.alighting.cn/news/20080509/106512.htm2008/5/9 0:00:00
10月15日，在新力光源与红旗连锁节能改造签约仪式上，新力光源正式启动成都20万盏节能改造工程，并宣布到2012年底力争完成150万盏led灯具节能改造。据新力光源董事长张明介绍，
https://www.alighting.cn/news/20101019/119767.htm2010/10/19 0:00:00
led产品外延结构的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定，其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
面是重要的一步。(a)首次发光的双异质结构蓝色发光二极管(b)现已生产出产品的双异质结构蓝色发光二极管. 虽然还很暗,但能够在GaN材料上制作成功双异质结构,并且还发出了光,这本
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40244.html2010/4/14 22:56:00
d。 led的色彩与工艺：制造led的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，借此可以控制led所发出光的波长，也就是光谱或颜色。历史上第一个led所使用的材料是砷(as)化镓(g
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
蓝宝石(al2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质，GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi
https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaN led倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。 五、芯片键合技术 光电 子器件对所需要的材料在性能上
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
价固晶材料及工艺、封装结构的散热性能等提供了一个重要手段。 l 对GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备的不同种类和结构的大功率蓝光l ed和白光l ed 进行了寿命试验,并
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2009/2/19/9691.html2009/2/19 12:02:00
